จำนวนชิ้น | ส่วนลดต่อชิ้น | ราคาสุทธิต่อชิ้น |
{{(typeof focus_pdata.price_list[idx+1] == 'undefined')?('≥ '+price_row.min_quantity):((price_row.min_quantity < (focus_pdata.price_list[idx+1].min_quantity - 1))?(price_row.min_quantity+' - '+(focus_pdata.price_list[idx+1].min_quantity - 1)):price_row.min_quantity)}} | {{number_format(((focus_pdata.price_old === null)?focus_pdata.price:focus_pdata.price_old) - price_row.price,2)}} บาท | {{number_format(price_row.price,2)}} บาท |
คงเหลือ | Unit |
จำนวน (Unit) |
- +
|
ซื้อเลย หยิบลงตะกร้า ซื้อเลย หยิบลงตะกร้า คุณมีสินค้าชิ้นนี้ในตะกร้า 0 Unit
|
|
|
|
คุยกับร้านค้า | |
{{ size_chart_name }} |
|
หมวดหมู่ | TR,MOSFET,DIODE,TRIAC,IGBT,-SCR,Transistor, NPN PNP |
สภาพ | สินค้าใหม่ |
เพิ่มเติม | |
สภาพ | สินค้ามือสอง |
เกรด | |
สถานะสินค้า | |
ระยะเวลาจัดเตรียมสินค้า | |
เข้าร่วมโปรโมชั่น | |
ข้อมูล |
น้ำหนัก
บาร์โค้ด
ลงสินค้า
อัพเดทล่าสุด
|
รายละเอียดสินค้า |
IRFZ44N (TO-220) MOSFET N-Channel 55V/49A,94W Rds(on) 17.5mΩ Max
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry. ![]() |
เงื่อนไขอื่นๆ |
|
Tags |